IGBT транзистор FGA25N120 (25N120), TO-3P, 1200В 25А с встроенним диодом

IGBT транзистор FGA25N120 (25N120), TO-3P, 1200В 25А с встроенным диодом Мощный IGBT транзистор FGA25N120 в корпусе TO-3P предназначен для работы в схемах инверторов, источников питания, преобразователей частоты и другой силовой электроники. Отличается высокой надежностью, возможностью работы с большими токами и напряжениями, а также наличием встроенного быстрого диода. Подходит для использования в промышленных и бытовых устройствах: сварочные аппараты, блоки питания, ИБП, преобразователи напряжения, зарядные станции и другое оборудование.

Преимущества:

Высокое рабочее напряжение до 1200 В

Максимальный ток коллектора 25 А

Встроенный быстрый диод для защиты и повышения надежности

Корпус TO-3P для эффективного отвода тепла

Универсальное применение в силовой электронике

Характеристики:

Тип: IGBT транзистор

Модель: FGA25N120 / 25N120

Корпус: TO-3P

Максимальное напряжение: 1200 В

Максимальный ток: 25 А

Встроенный диод: есть